16+
Регистрация
РУС ENG

Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые



ГОСТ 2.730-73

УДК 744:621.382:003.62:006.354

Группа Т52

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые


Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

Дата введения 01.07.74

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР;

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002;

3. Соответствует СТ СЭВ 661-88;

4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы;

5. ИЗДАНИЕ (май 2002 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91);

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3)

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1



(Измененная редакция, Изм. № 2, 3)
3, 4. (Исключены, Изм. № 1)

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.

Таблица 4

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5


7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6


Примечание: допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Примечание: при выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,



б) изображать корпус транзистора;

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.

Таблица 8


Примечание: допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10.

Таблица 10


Примечания: 1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.

При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74, например:



2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:



12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12



Примечание: если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения.

При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов.

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4)
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4)

ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

(Введено дополнительно, Изм. № 3)