16+
Регистрация
РУС ENG
Расширенный поиск
http://www.eprussia.ru/epr/130/10136.htm
Газета "Энергетика и промышленность России" | № 14 (130) июль 2009 года

Разработаны алмазные светодиоды

Японский Национальный институт передовых наук и технологий разработал светодиод дальнего ультрафиолетового излучения, который использует алмазный полупроводник.

Светодиод составлен из 2‑миллиметровой квадратной алмазной подложки, на которой расположен алмазный полупроводник. Это устройство выделяет дальнее ультрафиолетовое излучение с длиной волны 235 нанометров. Мощность при токе в 320 мА составляет 30 мкВт.

По словам разработчиков, новый светодиод отличается повышенной светоотдачей и термостойкостью. В настоящее время ученые ищут способы удешевления устройства. В частности, предлагается заменить дорогую алмазную подложку кремниевой, а на нее наносить алмазную полупроводниковую пленку.

Отправить на Email

Для добавления комментария, пожалуйста, авторизуйтесь на сайте

Также читайте в номере № 14 (130) июль 2009 года: